Отиди на
Форум "Наука"

Каква е разликата в ецването на монокристален и поликристален силиций ?


cherva

Recommended Posts

  • Потребител

Гугъл?

1. Introduction

Deposition and etching of polycrystalline silicon are

important steps of CMOS technology where polysilicon

is used as a gate material. Plasmas containing fluorine

(for example, SF6 ) are widely used for silicon etching

[1-3]. Most of studies concerning silicon etching by SF6

were performed for monocrystalline silicon. However,

etching characteristics of polysilicon may differ

significantly from those of monosilicon [4-9]. In

particular, one can expect that structural properties of

polysilicon (grain size, porosity, surface roughness) have

a considerable effect on etching. Furthermore, the

influence of doping on etching characteristics can be

more pronounced for polysilicon [10,11], as in this case

the doping material is believed to be more concentrated

at grain surfaces.

Link to comment
Share on other sites

Напиши мнение

Може да публикувате сега и да се регистрирате по-късно. Ако вече имате акаунт, влезте от ТУК , за да публикувате.

Guest
Напиши ново мнение...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Зареждане...

За нас

"Форум Наука" е онлайн и поддържа научни, исторически и любопитни дискусии с учени, експерти, любители, учители и ученици.

За своята близо двайсет годишна история "Форум Наука" се утвърди като мост между тези, които знаят и тези, които искат да знаят. Всеки ден тук влизат хиляди, които търсят своя отговор.  Форумът е богат да информация и безкрайни дискусии по различни въпроси.

Подкрепи съществуването на форумa - направи дарение:

Дари

 

 

За контакти:

×
×
  • Create New...